SBC847BPDW1T1G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Temel Parça No

BC847BPD

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

Automotive, AEC-Q101

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Power Dissipation

380mW

Element Configuration

Dual

Max Breakdown Voltage

45V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Halogen Free

Halogen Free

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

100MHz

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

6

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Gain Bandwidth Product

100MHz

Polarity

NPN, PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Max Power Dissipation

380mW

Frekans

100MHz

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yayın Yılı

2012

Yüzey Montaj

YES

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

AMPLIFIER

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

NPN, PNP

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Terminal Sayısı

6