SBC847BDW1T1G

Teknik Özellikler

Polarity

NPN

Gain Bandwidth Product

100MHz

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Frekans

100MHz

Max Power Dissipation

380mW

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2007

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Lead Free

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Terminal Sayısı

6

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

BC847BD

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Seri

Automotive, AEC-Q101

Montaj Tipi

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Max Breakdown Voltage

45V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Element Configuration

Dual

Power Dissipation

380mW

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

JESD-609 Kodu

e3