SBC846BPDW1T2G

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN, PNP

Parça Durumu

Active

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

600mV

Power Max

380mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

65V

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Terminal Formu

GULL WING

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Max Power Dissipation

380mW

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2009

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Lead Free

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Breakdown Voltage

65V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Halogen Free

Halogen Free

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

100MHz

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

100mA

Frequency Transition

100MHz

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

6

Temel Parça No

BC846BP

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS