SBAS20HT1G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

200mW

Diode Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Max Reverse Voltage Dc

200V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Surge Current

625mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Voltage Forward Vf Max If

1.25V @ 200mA

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

200V

Montaj Tipi

Surface Mount

Average Rectified Current

200mA

Peak Nonrepetitive Surge Current

5A

Current Reverse Leakage Vr

1μA @ 200V

Radyasyon Dayanımı

No

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Diode Type

Standard

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

200mW

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Capacitance Vr F

5pF @ 0V 1MHz

ECCN Kodu

EAR99

Recovery Time

50 ns

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

2

Pin Sayısı

2

Reverse Recovery Time

50 ns

Reference Standard

AEC-Q101

HTS Kodu

8541.10.00.70

Forward Current

200mA

Terminal Sayısı

2

Halogen Free

Halogen Free

Max Reverse Leakage Current

100μA

Element Configuration

Single