SBAS16DXV6T1G

Teknik Özellikler

Current Reverse Leakage Vr

1μA @ 100V

Diode Configuration

2 Independent

JESD-609 Kodu

e3

Peak Nonrepetitive Surge Current

500mA

Average Rectified Current

200mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Current Average Rectified Io

200mA DC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Forward Voltage

1.25V

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

ECCN Kodu

EAR99

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Formu

FLAT

Diode Type

Standard

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Yayın Yılı

2011

Kurşunsuz Kodu

yes

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Diode Element Material

SILICON

Reverse Currentmax

50μA

Kurşunsuz

Lead Free

Reverse Recovery Time

6 ns

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Max Reverse Voltage Dc

100V

Parça Durumu

Active

Reference Standard

AEC-Q101

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Output Currentmax

0.2A

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Voltage Forward Vf Max If

1.25V @ 150mA

Reverse Test Voltage

75V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

HTS Kodu

8541.10.00.70