SB80W10T-H

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Diode Type

Schottky

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Yayın Yılı

2006

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Phases

1

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ECCN Kodu

EAR99

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Applications

GENERAL PURPOSE

Terminal Sayısı

3

Max Reverse Leakage Current

100μA

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

100V

Element Configuration

Dual

Average Rectified Current

8A

Montaj Tipi

Through Hole

Diode Configuration

1 Pair Common Cathode

Current Reverse Leakage Vr

100μA @ 50V

Peak Nonrepetitive Surge Current

40A

Yüzey Montaj

NO

Max Surge Current

40A

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Bulk

Forward Current

8A

Voltage Forward Vf Max If

800mV @ 3A

Max Forward Surge Current Ifsm

40A

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Output Currentmax

4A

Kurşunsuz

Lead Free

Diode Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Max Reverse Voltage Dc

100V