PZT751T1G

Teknik Özellikler

Contact Plating

Tin

Yüzey Montaj

YES

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Akım Değeri

2A

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Yayın Yılı

2005

Weight

4.535924g

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Reach Svhc

No SVHC

Transition Frequency

75MHz

Hfemin

75

Radyasyon Dayanımı

No

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 200mA, 2A

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Genişlik

3.5mm

JESD-609 Kodu

e3

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Yükseklik

1.57mm

Terminal Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Power Dissipation

800mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

75 @ 1A 2V

Polaritychannel Type

PNP

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

-60V

Transistor Type

PNP

Max Breakdown Voltage

60V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Temel Parça No

PZT751

Max Power Dissipation

800mW