PN100A

Teknik Özellikler

Transition Frequency

250MHz

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yayın Yılı

2008

Power Dissipation

625mW

Montaj

Through Hole

Collector Base Voltage Vcbo

75V

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

250MHz

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 20mA, 200mA

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Number Of Elements

1

Weight

201mg

Frekans

250MHz

Element Configuration

Single

Max Collector Current

500mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

45V

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Current Collector Cutoff Max

50nA

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Collectorbase Capacitancemax

4.5pF

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 10mA 1V

Transistor Type

NPN

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

PN100

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Vcesatmax

0.2 V

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Bulk