NZT605

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Uzunluk

6.5mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Power Dissipation

1W

Max Junction Temperature Tj

150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

1.8mm

Voltage Rated Dc

11V

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 1mA, 1A

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Genişlik

3.56mm

Collector Base Voltage Vcbo

140V

Collector Emitter Voltage Vceo

110V

Collectoremitter Saturation Voltage

1.5V

Number Of Elements

1

Polarity

NPN

Yayın Yılı

1997

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Terminal Sayısı

4

Max Collector Current

1.5A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Breakdown Voltage

110V

Current Collector Cutoff Max

10nA ICBO

Montaj

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

110V

Transistor Type

NPN - Darlington

Frequency Transition

150MHz

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

NZT605

Case Connection

COLLECTOR

Power Dissipation

1W