NZT45H8

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Uzunluk

6.35mm

Max Power Dissipation

1.5W

Terminal Pozisyonu

DUAL

Radyasyon Dayanımı

No

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

6.35mm

Frekans

40MHz

Voltage Rated Dc

-60V

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 400mA, 8A

Pin Sayısı

4

Yayın Yılı

2016

Terminal Sayısı

4

Max Collector Current

8A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Breakdown Voltage

60V

Current Collector Cutoff Max

10μA ICBO

Gain Bandwidth Product

40MHz

Parça Durumu

Active

Polaritychannel Type

PNP

Genişlik

6.35mm

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Number Of Elements

1

Power Dissipation

1.5W

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 4A 1V

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Hfemin

60

Weight

188mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transition Frequency

40MHz