NVMFD5C672NLWFT1G

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Power Max

3.1W Ta 45W Tc

Terminal Formu

FLAT

Case Connection

DRAIN

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Fet Feature

Standard

Seri

Automotive, AEC-Q101

Yüzey Montaj

YES

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On Max Id Vgs

11.9m Ω @ 10A, 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

2

Input Capacitance Ciss Max Vds

793pF @ 25V

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.2V @ 30μA

Gate Charge Qg Max Vgs

5.7nC @ 4.5V

Drainsource On Resistancemax

0.0168Ohm

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Pulsed Drain Currentmax Idm

146A

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Current Continuous Drain Id25

12A Ta 49A Tc

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

48 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Avalanche Energy Rating Eas

66 mJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2013