NVMFD5877NLT3G

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Turn Off Delay Time

14.5 ns

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Element Material

SILICON

Pulsed Drain Currentmax Idm

74A

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Current Continuous Drain Id25

6A

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 10V

Yükseklik

1.05mm

Pin Sayısı

8

Drain Currentmax Abs Id

6A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

540pF @ 25V

Power Dissipation

23W

Uzunluk

6.1mm

Radyasyon Dayanımı

No

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Not For New Designs

Halogen Free

Halogen Free

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Element Configuration

Dual

Avalanche Energy Rating Eas

10.5 mJ

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2011

Lifecycle Status

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 10 hours ago)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Drainsource On Resistancemax

0.06Ohm

Pin Sayısı

8

Ds Breakdown Voltagemin

60V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Continuous Drain Current Id

17A

Rds On Max Id Vgs

39m Ω @ 7.5A, 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ