NVMFD5873NLWFT1G

Teknik Özellikler

Terminal Formu

FLAT

Power Dissipation

3.1W

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Reference Standard

AEC-Q101

Case Connection

DRAIN

Fet Feature

Logic Level Gate

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

3.1W

Yüzey Montaj

YES

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Continuous Drain Current Id

10A

Rds On Max Id Vgs

13m Ω @ 15A, 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Input Capacitance Ciss Max Vds

1560pF @ 25V

Number Of Elements

2

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Not For New Designs

Halogen Free

Halogen Free

Kurşunsuz

Lead Free

Lifecycle Status

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Element Configuration

Dual

Avalanche Energy Rating Eas

40 mJ

Yayın Yılı

2013

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Weight

37.393021mg

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Drainsource On Resistancemax

0.013Ohm

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

30.5nC @ 10V