NVMD4N03R2G

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

7 ns

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

10 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Fet Feature

Logic Level Gate

Yüzey Montaj

YES

Max Power Dissipation

2W

Drain Currentmax Abs Id

4A

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Continuous Drain Current Id

4A

Rds On Max Id Vgs

60m Ω @ 4A, 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Input Capacitance Ciss Max Vds

400pF @ 20V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Rise Time

14ns

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

16nC @ 10V

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Turn Off Delay Time

16 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Element Configuration

Dual

Yayın Yılı

2012

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99