NTZD5110NT1G

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Yüzey Montaj

YES

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Terminal Formu

FLAT

Gate Charge Qg Max Vgs

0.7nC @ 4.5V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Terminal Sayısı

6

Max Power Dissipation

900mW

Yükseklik

600μm

Uzunluk

1.7mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Turn On Delay Time

12 ns

Rds On Max Id Vgs

1.6 Ω @ 500mA, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Feature

Logic Level Gate

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Dual

Direnç

1.6Ohm

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Yayın Yılı

2007

Fall Time Typ

7.3 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

294mA

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation

250mW

Rise Time

7.3ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

NTZD5110N

Pin Sayısı

6