NTZD3155CT2G

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

150pF @ 16V

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn Off Delay Time

35 ns

Contact Plating

Tin

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

6V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Continuous Drain Current Id

540mA

Rise Time

12ns

Power Dissipation

250mW

Fall Time Typ

19 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Yayın Yılı

2007

Akım Değeri

540mA

Nominal Vgs

1 V

Number Of Elements

2

Temel Parça No

NTZD3155C

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Continuous Drain Id25

540mA 430mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Feature

Logic Level Gate

Element Configuration

Dual

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

550m Ω @ 540mA, 4.5V

Radyasyon Dayanımı

No

Drain Currentmax Abs Id

0.54A

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Gate Charge Qg Max Vgs

2.5nC @ 4.5V