NTZD3152PT1H

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

250mW

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Sayısı

6

Additional Feature

ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Obsolete

Drain Currentmax Abs Id

0.43A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Gate To Source Voltage Vgs

6V

Continuous Drain Current Id

430mA

Rise Time

12ns

Power Dissipation

280mW

Gate Charge Qg Max Vgs

2.5nC @ 4.5V

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Terminal Formu

FLAT

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

19 ns

Yüzey Montaj

YES

Drainsource On Resistancemax

0.9Ohm

Yayın Yılı

2006

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Feature

Standard

Element Configuration

Dual

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn On Delay Time

10 ns

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rds On Max Id Vgs

900m Ω @ 430mA, 4.5V

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Input Capacitance Ciss Max Vds

175pF @ 16V

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

6