NTZD3152PT1G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Additional Feature

ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

NTZD3152P

Rise Time

12ns

Power Dissipation

250mW

Continuous Drain Current Id

430mA

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Gate To Source Voltage Vgs

6V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2003

Akım Değeri

-430mA

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Fall Time Typ

12 ns

Direnç

500mOhm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Genişlik

1.3mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn Off Delay Time

35 ns

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

175pF @ 16V

Pin Sayısı

6

Yükseklik

600μm

Max Power Dissipation

250mW

Voltage Rated Dc

-20V

Terminal Sayısı

6

Terminal Formu

FLAT

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

2.5nC @ 4.5V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Drain Currentmax Abs Id

0.43A

Radyasyon Dayanımı

No

Yüzey Montaj

YES

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

JESD-609 Kodu

e3