NTSB30100S-1G

Teknik Özellikler

Peak Nonrepetitive Surge Current

250A

Current Reverse Leakage Vr

1mA @ 100V

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Operating Temperature Junction

-40°C~150°C

Case Connection

CATHODE

Pin Sayısı

3

Number Of Phases

1

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Peak Reverse Current

1mA

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Forward Current

30A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

NO

Yayın Yılı

2010

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Through Hole

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Reverse Voltage Dc

100V

Ambalaj

Tube

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Forward Vf Max If

950mV @ 30A

Diode Type

Schottky

Diode Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

100V

Average Rectified Current

30A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

HTS Kodu

8541.10.00.80

Max Forward Surge Current Ifsm

250A