NTMD5836NLR2G

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

9A 5.7A

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

50nC @ 10V

Uzunluk

5mm

Rise Time

22ns

Max Power Dissipation

1.5W

Rds On Max Id Vgs

12m Ω @ 10A, 10V

Terminal Sayısı

8

Yükseklik

1.5mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Element Configuration

Dual

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3

Genişlik

4mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

8.5 ns

Transistor Element Material

SILICON

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Gate To Source Voltage Vgs

20V

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Fet Feature

Logic Level Gate

Terminal Formu

GULL WING

Turn Off Delay Time

26 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Temel Parça No

NTMD5836

Number Of Elements

2

Drain Currentmax Abs Id

9A

Pin Sayısı

8

Yayın Yılı

2011

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

5.7A

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

1.5W