NTMD4N03R2G

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Yükseklik

1.5mm

Yüzey Montaj

YES

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Uzunluk

5mm

Direnç

48MOhm

Contact Plating

Tin

Gate Charge Qg Max Vgs

16nC @ 10V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On Max Id Vgs

60m Ω @ 4A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

2

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Turn On Delay Time

7 ns

Power Dissipation

2W

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

14ns

Max Power Dissipation

2W

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Terminal Formu

GULL WING

Fet Feature

Logic Level Gate

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

4A

Fall Time Typ

10 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

4mm

Yayın Yılı

2006

Pin Sayısı

8