NTMD2P01R2G

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

8

Max Power Dissipation

710mW

Rise Time

35ns

Drainsource On Resistancemax

0.1Ohm

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Fet Feature

Logic Level Gate

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pulsed Drain Currentmax Idm

9A

Akım Değeri

-2.3A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

29 ns

Yayın Yılı

2006

Pin Sayısı

8

Turn Off Delay Time

33 ns

Voltage Rated Dc

-16V

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Input Capacitance Ciss Max Vds

750pF @ 16V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz

Lead Free

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

-3.85A

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Current Continuous Drain Id25

2.3A

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Gate Charge Qg Max Vgs

18nC @ 4.5V

Rds On Max Id Vgs

100m Ω @ 2.4A, 4.5V

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON