NTLJD3115PT1G

Teknik Özellikler

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Radyasyon Dayanımı

No

Input Capacitance Ciss Max Vds

531pF @ 10V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Genişlik

2mm

Fall Time Typ

15 ns

Max Power Dissipation

710mW

Number Of Elements

2

ECCN Kodu

EAR99

Case Connection

DRAIN

Montaj Tipi

Surface Mount

Uzunluk

2mm

Turn Off Delay Time

19.8 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Rds On Max Id Vgs

100m Ω @ 2A, 4.5V

Power Dissipation

1.5W

Kurşunsuz

Lead Free

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2006

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

750μm

Kılıf / Paket

6-WDFN Exposed Pad

Rise Time

15ns

Temel Parça No

NTLJD3115P

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

C BEND

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Contact Plating

Tin

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

Continuous Drain Current Id

3.3A