NTLGD3502NT2G

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

6

Gate Charge Qg Max Vgs

4nC @ 4.5V

Pin Sayısı

6

Direnç

60MOhm

Drain Currentmax Abs Id

4.3A

Rds On Max Id Vgs

60m Ω @ 4.3A, 4.5V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Active

Fet Feature

Logic Level Gate

Power Dissipation

1.74W

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Continuous Drain Current Id

5.8A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)

HTS Kodu

8541.29.00.95

Pulsed Drain Currentmax Idm

17.2A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Turn On Delay Time

7 ns

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Current Continuous Drain Id25

4.3A 3.6A

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

Yüzey Montaj

YES

Turn Off Delay Time

8.6 ns

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Input Capacitance Ciss Max Vds

480pF @ 10V

Yayın Yılı

2007

Fet Type

2 N-Channel (Dual)