NTJD4401NT2G

Teknik Özellikler

Akım Değeri

775mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Continuous Drain Current Id

630mA

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

270mW

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Fet Feature

Logic Level Gate

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Obsolete

Drainsource On Resistancemax

0.375Ohm

Voltage Rated Dc

20V

Pin Sayısı

6

Gate Charge Qg Max Vgs

3nC @ 4.5V

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Rds On Max Id Vgs

375m Ω @ 630mA, 4.5V

Temel Parça No

NTJD4401N

Rise Time

227ns

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Max Power Dissipation

270mW

Number Of Elements

2

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Fall Time Typ

227 ns

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Feedback Capmax Crss

5 pF

Qualification Status

Not Qualified

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Yayın Yılı

2006

Input Capacitance Ciss Max Vds

46pF @ 20V

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3