NTJD4105CT2

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Fet Feature

Logic Level Gate

Drainsource On Resistancemax

0.375Ohm

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Gate Charge Qg Max Vgs

3nC @ 4.5V

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Akım Değeri

630mA

Current Continuous Drain Id25

630mA 775mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

HTS Kodu

8541.21.00.95

Continuous Drain Current Id

775mA

JESD-609 Kodu

e0

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Element Configuration

Dual

Drain To Source Breakdown Voltage

-8V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rise Time

23ns

Temel Parça No

NTJD4105C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Yayın Yılı

2006

Kurşunsuz

Contains Lead

Power Dissipation

270mW

Parça Durumu

Obsolete

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rds On Max Id Vgs

375m Ω @ 630mA, 4.5V

Drain Currentmax Abs Id

1.1A

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn Off Delay Time

50 ns

Drain To Source Voltage Vdss

20V 8V

Number Of Elements

2