NTJD4105CT1G

Teknik Özellikler

Yükseklik

1mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2006

Temel Parça No

NTJD4105C

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rise Time

23ns

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain To Source Breakdown Voltage

-8V

Element Configuration

Dual

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

Continuous Drain Current Id

775mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Akım Değeri

630mA

Current Continuous Drain Id25

630mA 775mA

Turn On Delay Time

83 ns

Threshold Voltage

920mV

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Direnç

220mOhm

Gate Charge Qg Max Vgs

3nC @ 4.5V

Transistor Element Material

SILICON

Fet Feature

Logic Level Gate

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Type

N and P-Channel

Feedback Capmax Crss

5 pF

Input Capacitance Ciss Max Vds

46pF @ 20V

Number Of Elements

2

Max Power Dissipation

270mW

Fall Time Typ

36 ns

Genişlik

1.35mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99