NTJD2152PT2G

Teknik Özellikler

Continuous Drain Current Id

775mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Akım Değeri

-775mA

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Gate Charge Qg Max Vgs

4nC @ 4.5V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drainsource On Resistancemax

0.3Ohm

Voltage Rated Dc

-8V

Montaj

Surface Mount

Fet Feature

Logic Level Gate

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2006

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rise Time

23ns

Temel Parça No

NTJD2152P

Drain To Source Breakdown Voltage

-8V

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Drain Currentmax Abs Id

0.775A

Rds On Max Id Vgs

300m Ω @ 570mA, 4.5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation

270mW

Kurşunsuz

Lead Free

Input Capacitance Ciss Max Vds

225pF @ 8V

Qualification Status

Not Qualified

Feedback Capmax Crss

40 pF