NTJD1155LT1G

Teknik Özellikler

Uzunluk

2.2mm

Yüzey Montaj

YES

Reach Svhc

No SVHC

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Drain To Source Breakdown Voltage

-8V

Drain To Source Voltage Vdss

8V

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Temel Parça No

NTJD1155

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Max Power Dissipation

400mW

Number Of Elements

2

Genişlik

1.35mm

Yükseklik

1mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2004

Fet Type

N and P-Channel

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Feature

Standard

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

400mW

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Direnç

130mOhm

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Rds On Max Id Vgs

175m Ω @ 1.2A, 4.5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Threshold Voltage

1V