NTHD4508NT1G

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

20V

Uzunluk

3.1mm

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)

Fet Feature

Logic Level Gate

Rise Time

15ns

Drainsource On Resistancemax

0.075Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

4nC @ 4.5V

Reach Svhc

No SVHC

Max Power Dissipation

2.1W

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Turn On Delay Time

5 ns

Temel Parça No

NTHD4508N

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

8

Power Dissipation

1.13W

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Rds On Max Id Vgs

75m Ω @ 3.1A, 4.5V

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

8

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Continuous Drain Id25

3A

Yükseklik

1.1mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

1.7mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Threshold Voltage

1.2V

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2004