NTHD4502NT1G

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

Current Continuous Drain Id25

2.2A

Yükseklik

1.1mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Direnç

80MOhm

Terminal Formu

C BEND

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2005

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.7mm

Radyasyon Dayanımı

No

Turn Off Delay Time

14.9 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

140pF @ 15V

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Active

Weight

4.535924g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Akım Değeri

2.9A

Continuous Drain Current Id

3.9A

ECCN Kodu

EAR99

Fall Time Typ

5.4 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Rise Time

5.4ns

Fet Feature

Logic Level Gate

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Uzunluk

3.1mm

Voltage Rated Dc

30V

Terminal Sayısı

8

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Turn On Delay Time

7.8 ns

Temel Parça No

NTHD4502N

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks