NTHD4102PT1G

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

1.7mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2000

Terminal Formu

C BEND

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Threshold Voltage

-1.5V

Transistor Element Material

SILICON

Direnç

64MOhm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yükseklik

1.1mm

Current Continuous Drain Id25

2.9A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Fall Time Typ

12 ns

Gate To Source Voltage Vgs

8V

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

4.1A

Akım Değeri

-7.3A

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

750pF @ 16V

Turn Off Delay Time

32 ns

Parça Durumu

Active

Weight

4.535924g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Nominal Vgs

-1.5 V

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Turn On Delay Time

5.5 ns

Temel Parça No

NTHD4102P

Gate Charge Qg Max Vgs

8.6nC @ 4.5V

Reach Svhc

No SVHC

Max Power Dissipation

1.1W

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Element Configuration

Dual

Number Of Elements

2