NTHD3102CT1G

Teknik Özellikler

Drainsource On Resistancemax

0.045Ohm

Rise Time

16.9ns

Fet Feature

Logic Level Gate

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Uzunluk

3.1mm

Voltage Rated Dc

20V

Terminal Sayısı

8

Number Of Elements

2

Power Max

1.1W

Element Configuration

Dual

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Temel Parça No

NTHD3102C

Turn On Delay Time

7.2 ns

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

600mW

Reach Svhc

No SVHC

Gate Charge Qg Max Vgs

7.9nC @ 4.5V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Rds On Max Id Vgs

45m Ω @ 4.4A, 4.5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

600mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

8

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Pin Sayısı

8

Kurşunsuz

Lead Free

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1.1mm

Current Continuous Drain Id25

4A 3.1A

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

16A

Terminal Formu

C BEND

Yayın Yılı

2005