NTGD1100LT1

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e0

Drain To Source Breakdown Voltage

8V

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Akım Değeri

3.3A

Power Dissipation

8.3W

Çıkış Tipi

P-Channel

Continuous Drain Current Id

3.3A

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Pin Sayısı

6

Qualification Status

Not Qualified

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Voltage Load

1.8V~8V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tip

General Purpose

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Output Configuration

High Side

Drain To Source Resistance

80mOhm

Switch Type

General Purpose

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Voltage Rated Dc

20V

Number Of Outputs

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2007

Rds On Typ

40m Ω

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Temel Parça No

NTGD1100L