NSVT45010MW6T1G

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Yayın Yılı

2011

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

AMPLIFIER

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Transition Frequency

100MHz

Max Collector Current

100mA

Polaritychannel Type

PNP

Montaj

Surface Mount

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

2

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Max Power Dissipation

380mW

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power Max

380mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Collector Base Voltage Vcbo

50V

JESD-609 Kodu

e3

Frequency Transition

100MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101