NSVMUN5236T1G

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Polarity

NPN

Terminal Pozisyonu

DUAL

Resistor Base R1

100 k Ω

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Hfemin

80

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2013

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101

Max Power Dissipation

202mW

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Power Max

202mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

3

Max Collector Current

100mA