NSVMUN5131T1G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

8 @ 5mA 10V

JESD-609 Kodu

e3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Max Power Dissipation

202mW

Power Max

202mW

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Current Collector Cutoff Max

500nA

Max Collector Current

100mA

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Polarity

PNP

Terminal Formu

GULL WING

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Hfemin

8

Yayın Yılı

2013

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant