NSVMUN5113DW1T3G

Teknik Özellikler

Polaritychannel Type

PNP

Max Collector Current

100mA

Montaj

Surface Mount

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

2

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Max

250mW

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Max Power Dissipation

250mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 1V

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2012

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Parça Durumu

Active

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Resistor Base R1

47k Ω