NSVMMBT3906TT1G

Teknik Özellikler

Transistor Type

PNP

Transistor Application

AMPLIFIER

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yayın Yılı

2006

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

250MHz

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Formu

GULL WING

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Turn On Timemax Ton

70ns

Turn Off Timemax Toff

300ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Polaritychannel Type

PNP

Max Collector Current

200mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Frequency Transition

250MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 1V

JESD-609 Kodu

e3

Seri

Automotive, AEC-Q101

Configuration

SINGLE

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Max

200mW

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Kılıf / Paket

SC-75, SOT-416

Max Power Dissipation

200mW