NSVMBD770DW1T1G

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

6

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Pin Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Average Rectified Current

100mA

Peak Nonrepetitive Surge Current

1A

Parça Durumu

Active

Terminal Formu

GULL WING

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Pozisyonu

DUAL

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Diode Capacitancemax

1pF

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2011

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Max Reverse Voltage Dc

70V

Current Reverse Leakage Vr

200nA @ 35V

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Forward Vf Max If

500mV @ 1mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Diode Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Forward Current

100mA

Reference Standard

AEC-Q101

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

70V

Power Dissipation Max

0.38W

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Diode Type

Schottky

Capacitance Vr F

1pF @ 20V 1MHz

Montaj

Surface Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Number Of Elements

2

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)