NSVEMT1DXV6T1G

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Vcesatmax

0.5 V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Max Power Dissipation

500mW

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Power Max

500mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Frequency Transition

140MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101

JESD-609 Kodu

e3

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Montaj

Surface Mount

Current Collector Cutoff Max

500pA ICBO

Max Collector Current

100mA

Polaritychannel Type

PNP

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

2

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Transistor Element Material

SILICON

Transition Frequency

140MHz

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Terminal Formu

FLAT

Yayın Yılı

2005

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

AMPLIFIER

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks