NSVEMC2DXV5T1G

Teknik Özellikler

Resistor Base R1

22k Ω

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Parça Durumu

Active

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Yayın Yılı

2010

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 10V

JESD-609 Kodu

e3

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Max

500mW

Max Power Dissipation

500mW

Kılıf / Paket

SOT-553

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

2

Current Collector Cutoff Max

500nA

Montaj

Surface Mount

Polaritychannel Type

NPN/PNP

Max Collector Current

100mA