NSVDTC123JM3T5G

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Formu

FLAT

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

NPN

Current Collector Cutoff Max

500nA

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

JESD-609 Kodu

e3

Currentcollector Ic Max

100mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Kılıf / Paket

SOT-723

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Power Max

260mW

Seri

Automotive, AEC-Q101

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Montaj Tipi

Surface Mount