NSVBC858BLT1G

Teknik Özellikler

Transistor Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Yayın Yılı

2009

Element Configuration

Single

Uzunluk

3.04mm

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Frequency

100MHz

Transition Frequency

100MHz

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Yükseklik

1.01mm

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Polaritychannel Type

PNP

Max Collector Current

100mA

Genişlik

1.4mm

Reference Standard

AEC-Q101

Kurşunsuz Kodu

yes

Frequency Transition

100MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

JESD-609 Kodu

e3

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V