NSVBC848CDW1T1G

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Yayın Yılı

2007

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Transistor Application

AMPLIFIER

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

600mV

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Terminal Formu

GULL WING

Polarity

NPN

Transistor Element Material

SILICON

Transition Frequency

100MHz

Max Collector Current

100mA

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

6

Power Max

380mW

Max Power Dissipation

380mW

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Frequency Transition

100MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101