NSVBC847BDW1T2G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Reference Standard

AEC-Q101

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Frequency Transition

100MHz

Collector Base Voltage Vcbo

50V

JESD-609 Kodu

e3

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Max Power Dissipation

380mW

Power Max

380mW

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Sayısı

6

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Number Of Elements

2

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

100MHz

Transistor Element Material

SILICON

Polarity

NPN

Terminal Formu

GULL WING

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

600mV

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

AMPLIFIER

Transistor Type

2 NPN (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yayın Yılı

2007

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant