NSVBAV70TT1G

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Diode Configuration

1 Pair Common Cathode

Pin Sayısı

3

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Peak Reverse Current

5μA

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Average Rectified Current

200mA

Terminal Formu

GULL WING

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Terminal Pozisyonu

DUAL

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Temel Parça No

BAV70T

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Common Cathode

Output Currentmax

0.1A

Yayın Yılı

2011

Max Reverse Voltage Dc

70V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Current Reverse Leakage Vr

1μA @ 100V

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Dc Reverse Vr Max

100V

Current Average Rectified Io

100mA DC

Kılıf / Paket

SC-75, SOT-416

Voltage Forward Vf Max If

1V @ 50mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Reverse Recovery Time

6 ns

Diode Element Material

SILICON

Seri

Automotive, AEC-Q101

JESD-609 Kodu

e3

Forward Current

200mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation Max

0.225W

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

70V

Diode Type

Standard

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Number Of Elements

2

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)