NSV1C200MZ4T1G

Teknik Özellikler

Reference Standard

AEC-Q101

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Radyasyon Dayanımı

No

Vce Saturation Max Ib Ic

220mV @ 200mA, 2A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Terminal Sayısı

4

Currentcollector Ic Max

2A

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Max Collector Current

2A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Emitter Base Voltage Vebo

-7V

Yayın Yılı

2013

Weight

188.014037mg

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Gain Bandwidth Product

120MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

220mV

Transition Frequency

120MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Element Configuration

Single

Max Power Dissipation

2W

Case Connection

COLLECTOR

Collector Base Voltage Vcbo

-140V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 500mA 2V