NST847BPDP6T5G

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Transistor Type

NPN, PNP

Frekans

100MHz

Contact Plating

Tin

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2008

Emitter Base Voltage Vebo

6V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

SOT-963

Terminal Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Collector Current

100mA

Terminal Formu

FLAT

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Transition Frequency

100MHz

Max Power Dissipation

420mW

Element Configuration

Dual

Gain Bandwidth Product

100MHz

Polarity

NPN, PNP

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Yüzey Montaj

YES

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Power Max

350mW

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V / 220 @ 2mA 5V

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

420mW