NSS40302PDR2G

Teknik Özellikler

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Transistor Type

NPN, PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Vce Saturation Max Ib Ic

115mV @ 200mA, 2A

Frekans

100MHz

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

8

Max Breakdown Voltage

40V

Pin Sayısı

8

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Yayın Yılı

2008

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

8

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

GULL WING

Max Collector Current

3A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Transition Frequency

100MHz

Element Configuration

Dual

Max Power Dissipation

783mW

Yükseklik

1.5mm

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Gain Bandwidth Product

100MHz

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Polarity

NPN, PNP

Uzunluk

5mm

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Power Max

653mW

Collectoremitter Saturation Voltage

115mV